冷凍脫硝設(shè)備降低了系統(tǒng)運(yùn)行能耗

　　冷凍脫硝設(shè)備通過膜法冷凍技術(shù)，將回流輕鹽水中積累的硫酸鹽以硝的形式從鹽水系統(tǒng)中去除。脫硝工藝通過淡鹽水預(yù)處理、納濾膜濃縮、濃液冷凍和離心分離四個(gè)過程實(shí)現(xiàn)。總結(jié)了生產(chǎn)過程中常見的設(shè)備故障和膜污染物的特點(diǎn)，并給出了處理方法通過對氫氧化鋰?yán)鋬雒撓踉砗筒牧咸匦缘姆治觯瑢⒗鋬雒撓踝優(yōu)檫B續(xù)生產(chǎn)工藝和設(shè)備。通過工藝系統(tǒng)和設(shè)備的優(yōu)化，降低了冷凍母液中SiO2-等雜質(zhì)含量和硝中鋰離子的含量，提高了鋰的直接收率，降低了系統(tǒng)運(yùn)行能耗，降低了氫氧化鋰的生產(chǎn)成本。

　　

　　1、冷凍脫硝母液中硫酸鈉含量應(yīng)盡量低；

　　

　　2、分離出的十水硫酸鈉晶體上附著的液體量應(yīng)盡量少，以提高鋰的直接收率；

　　

　　3、冷凍母液與十水硫酸鈉晶體密度差小，低溫下冷凍母液粘度大，十水硫酸鈉沉降很慢；

　　

　　4、由于硫酸系統(tǒng)冷卻面的熱交換溫度差，冷卻面上有一定的鈉含量，造成一定的鈉含量。

　　

　　一般來說，冷凍脫硝設(shè)備冷卻速度越快，過飽和度必須迅速增加。在生產(chǎn)中，如果冷卻速度快，過飽和度大，很容易超過亞穩(wěn)區(qū)的界限，析出大量晶核，得不到大晶體。漿料固液比對母液過飽和消失的影響需要一定的晶面。固液比高，晶體表面積大，過飽和*消失。這不僅可以使已有的晶體生長，還可以防止過飽和的積累，減少細(xì)晶的產(chǎn)生。因此，應(yīng)保持適當(dāng)?shù)墓桃罕取＝Y(jié)晶停留時(shí)間的影響停留時(shí)間是結(jié)晶器中塔板物料與單位時(shí)間產(chǎn)量的比值。在結(jié)晶器中，結(jié)晶顆粒的停留時(shí)間較長，有利于結(jié)晶顆粒的生長。在模具中晶漿固液比不變的情況下，模盤的存量也不變；因此，單位時(shí)間產(chǎn)率小，停留時(shí)間長，可獲得較大的粒狀晶體。

　　

　　總之，冷凍脫硝設(shè)備設(shè)計(jì)中如何選擇和組合系統(tǒng)裝置，不能從局部的合理性考慮，而應(yīng)從整個(gè)系統(tǒng)的角度考慮，從而獲得整個(gè)系統(tǒng)的合理性。